研究生名师讲堂暨“语理”物理学系列学术报告（十七）

发布时间：2017-12-14          阅读：5次

研究生名师讲堂暨“语理”物理学系列学术报告（十七）

　　应我校数理学院赵长春教授和李庚伟副教授邀请，清华大学于浦副教授和中国科学院半导体研究所研究员杨少延将来我校进行学术交流，并做学术报告。

报告题目一：氧化物的一世三生：电场诱导的双离子调控（于浦副教授）

报告题目二：宽禁带半导体材料及电力电子器件应用（杨少延研究员）

地点：教五楼409

时间：2017年12月21日14:00-17:30

报告人简介：

　　于浦，清华大学物理系Tenure-track副教授、博士生导师、“青年千人计划”学者、青年973首席科学家。1998-2005年在清华大学物理系获得理学学士、硕士学位。2005-2011年在美国加州大学Berkeley分校物理系取得博士学位。2011年至2012年在日本东京大学、理化学研究所从事博士后研究。2012年入选国家“青年千人计划”，2013年初任物理系Tenure-track助理教授，2017年初聘为Tenure-track副教授。2014年起兼任日本理化学研究所兼职研究员和研究组长。研究领域立足于凝聚态实验物理和材料科学的交叉领域，着重于研究功能氧化物薄膜、界面以及纳米结构等量子受限系统的新颖特性和物理机制。共发表学术论文50余篇,其中包括Nature，Science，PNAS，Nature 子刊和Physical Review Letters共计20余篇，文章总引用数4500 余次。近年来于浦受邀在著名国际学术会议(APS、MRS 等)、研究机构做报告 40 余次。撰写介绍多铁材料异质结构的专著一章、在材料领域风向标杂志Materials Today 和Annu. Rev. Mater. Res.等撰写综述性文章5篇。

　　杨少延，男，中国科学院半导体研究所研究员，中国科学院大学岗位教授、博士生导师。1999年获得吉林大学凝聚态物理专业理学硕士学位； 2006年3月获得中国科学院研究生院材料与物理化学专业工学博士学位。1999年7月于中国科学院半导体研究所参加工作，2000年担任离子束外延组组长，主要从事离子束外延材料生长工艺研究工作；2005年8月晋升为副研究员并转入MOCVD组，主要从事宽禁带半导体材料生长工艺研究及相关材料制备生长设备设计建造技术开发工作；2013年晋升为研究员，担任超宽禁带半导体材料研究组组长，主要从事宽禁带半导体材料与器件研究及相关材料生长设备设计建造技术开发工作。已先后承担国家级科研项目及地方技术开发项目二十多项，经费累计2600多万元。发表学术论文100多篇（包括：通讯作者论文30篇、国内会议特邀报告4篇）；申请中国专利50多项（已授权25项）。