研究生名师讲堂暨“语理”物理学系列学术报告(第25次）

发布时间：2019-10-17          阅读：5次

应数理学院邢杰老师的邀请，中国科学院物理研究所副研究员葛琛将来我校进行学术交流，并做学术报告。

题目：基于功能氧化物外延膜的类脑科学

地点：教五楼409

时间：2019年10月24日下午2:00-3:30

葛琛副研究员简介：中国科学院物理研究所副研究员，博士生导师，入选中国科学院青年创新促进会。2007年本科毕业于山东大学物理学院，2007-2012年中科院物理所师从杨国桢院士攻读硕博连续学位，留所工作至今。一直从事激光分子束外延方法制备功能氧化物异质结构及新型器件研究，在Science、Adv. Mater.、Adv.Funct. Mater.、Phys. Rev. B等等期刊上发表SCI论文近60篇，引用1000余次。目前承担国家重点研发计划（课题负责人）、国家自然科学基金委、中国科学院等多个项目。长期担任Nat. Commun.、Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.等期刊审稿人。

报告简介：类似于人脑的神经网络型信息处理模式效率将会明显优于传统架构计算机，开发符合神经形态计算特性的电子器件（电子突触）从而构建大规模人工神经网络，最终实现人工智能产业亟需的高性能低功耗“类脑芯片”，已经成为未来信息科技发展的一个重要方向。近期，我们在基于功能氧化物外延膜的新型电解质突触晶体管方向取得系列进展，侧重于在高质量功能氧化物外延薄膜中阐明器件物理。我们通过激光分子束外延技术制备高质量WO₃外延薄膜，实现高性能神经突触晶体管器件。并系统研究极化离子液体调控WO₃相变的物理机制：当门电压小于水的分解电位时离子液体调控主要是静电场效应起作用，撤掉门电压沟道电导立刻恢复，可以模拟突触的短程记忆过程；当门电压小于水的分解电位时离子液体调控主要是电化学效应起作用，伴随着H⁺在WO₃薄膜A位空隙的插入，对应着长程记忆过程。我们不仅可以利用极化离子液体调控H⁺还可以调控O^2-在钙钛矿材料的注入与脱出，通过极化离子液体调控拓扑相转换材料在钙铁石和钙钛矿相之间的可逆转换，进而成功设计出综合性能优异的突触晶体管。

研究生可记学术报告一次，欢迎广大师生参加！

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                                           2019年10月16日